- 产品名称:开路集电极输出(升级版)
- 产品型号:QD75P4N
- 品牌:三菱
- 类型:
选型手册
- 语言:中文
- 大小:22.32MB
3槽;需要1个AnS系列PLC电源模块;
用于安装大AnS系列PLC模块。
AnS系列PLC的基板底板。
QA1S系列PLC 3槽主基板。
AnS系列的模块可安装QD75P4N样本。冗余CPU数据跟踪电缆的长度为 3米。
只能用于三菱Q系列PLC冗余CPU。输入点数:32点。
输入电压及电流:DC24V 4mA。
应答时间:1/5/10/20/70ms。
共阳极。
输出点数:32点。
输出电压及电流:DC12~24V 0.1A/点;2A/公共端。
OFF时漏电流:0.1mA;应答时间:1ms。
漏型。
40针连接器QD75P4N样本。
带热防护。
带短路保护。
带浪涌吸收器。
借助采样跟踪功能缩短启动时间
利用采样跟踪功能,方便分析发生故障时的数据,
检验程序调试的时间等,可缩短设备故障分析时间和启动时间。
此外,在多CPU系统中也有助于确定CPU模块之间的数据收发时间。
可用编程工具对收集的数据进行分析,
并以图表和趋势图的形式方便地显示位软元件和字软元件的数据变化QD75P4N样本。
并且,可将采样跟踪结果以GX LogViewer形式的CSV进行保存,
通过记录数据显示、分析工具GX LogViewer进行显示。
高速处理,生产时间缩短,更好的性能。
随着应用程序变得更大更复杂,缩短系统运行周期时间是非常必要的三菱QD75P4N。
通过高的基本运算处理速度1.9ns,可缩短运行周期。
除了可以实现以往与单片机控制相联系的高速控制以外,
还可通过减少总扫描时间,提高系统性能,
防止任何可能出现的性能偏差。
方便处理大容量数据。
以往无法实现标准RAM和SRAM卡文件寄存器区域的连续存取,
在编程时需要考虑各区域的边界。
在高速通用型QCPU中安装了8MB SRAM扩展卡,
可将标准RAM作为一个连续的文件寄存器,
容量多可达4736K字,从而简化了编程三菱QD75P4N。
因此,即使软元件存储器空间不足,
也可通过安装扩展SRAM卡,方便地扩展文件寄存器区域三菱QD75P4N。
变址寄存器扩展到了32位,从而使编程也可越了传统的32K字,
并实现变址修饰扩展到文件寄存器的所有区域。
另外,变址修饰的处理速度对结构化数据(阵列)的运算起着重要作用,
该速度现已得到提高。
当变址修饰用于反复处理程序(例如从FOR到NEXT的指令等)中时,可缩短扫描时间。符合安全标准:EN954-1 类别4、ISO 13849-1 PL e。
安全输入点数:1点(2输入)。
起动输入点数:1点。
输入形式:P型(正极公共端/正极公共端输入)
安全输出点数:1点(3出力)。
弹簧夹端子台型。
可简简单地追加安全系统QD75P4N选型手册。
只需连接至现有的CC-LINK,即可追加独立的安全功能。
通通过CC-link连接可节省配线QD75P4N样本。
不需要特别对安全继电器模块的状态监视进行配线,实现了柜内/柜外省配线。
安装状态的可视化。
可监视安全输出,以及安全输入和内部继电器状态,在安全回路启动时便于查明原因。