三菱Q06CCPU-V EMC Q06CCPU-V认证

三相3线式。
测量电路数：4个电路。
测量项目：耗电量（消耗、再生）、电流、电压、功率、功率因素等。
可简单地测量多种能量信息的电能测量模块产品群。
仅用一个模块，即可测量与电量（消耗及再生）、无功电量、电流、电压、功率、功率因数以及频率有关的各种详细信息Q06CCPU-VEMC。
无需梯形图程序即可持续监视小值和大值，亦可执行2种类型的上限/下限报警。
只有在ON状态期间，才可测量输出设备所使用的电量。
因此可获得设备运行期间的电量以及节拍单位内的电量。
在一个插槽中使用3相3线式产品多可测量4个电路，
使用3相4线式产品多可测量3个电路，
因此通过多电路型产品可在较小空间中实施电能测量。
例如，可使用一个模块测量来自控制面板干线的其他负载Q06CCPU-VEMC。
此外，可使用GX Works2 （ 1.90U版和更高版本），轻松地设置参数。输入输出点数：4096点。
输入输出元件数：8192点。
程序容量：28 k步。
处理速度：34ns。
程序存储器容量：144 KB。
内置RS232通信口。
支持安装记忆卡。
仅用于A模式。
提升基本性能。
CPU的内置软元件存储器容量增加到多60K字。
对增大的控制、质量管理数据也可高速处理。
方便处理大容量数据。
以往无法实现标准RAM和SRAM卡文件寄存器区域的连续存取，
在编程时需要考虑各区域的边界。
在高速通用型QCPU中安装了8MB SRAM扩展卡，
可将标准间不足，
也可通过安装扩展SRAM卡，方便地扩展文件寄存器区域Q06CCPU-VEMC。
变址寄存器扩展到了32位，从而使编程也可越了传统的32K字，
并实现变址修饰扩展到文件寄存器的所有区域。
另外，变址修饰的处理速度对结构化数据（阵列）的运算起着重要作用，
该速度现已得到提高。
当变址修饰用于反复处理程序（例如从FOR到NEXT的指令等）中时，可缩短扫描时间。扩展SRAM卡 1MB。
支持SD存储卡。
高速通用型QCPU支持SD存储卡，
从而能够与有SD存储卡插口的PC之间轻松地实现数据交换。
另外、可同时使用SD存储卡和扩展SRAM卡。
因此，可利用扩展SRAM卡扩展文件寄存器，
可利用SD存储卡同时进行数据文件记录、大量注释数据保存、通过存储卡进行引导运行。输入电压范围：AC100-240V。
输出电压：DC5V。
输出电源：6A。
简化程序调试。
可使用带执行条件的软元件测试功能，在程序上的任意步，
将软元件值更改为用户值。
以往在调试特定回路程序段时，需要追加设定软元件的程序，
而目前通过使用本功能，无需更改程序，即可使特定的回路程序段单独执行动作。
因此，不需要单独为了调试而更改程序，调试操作更简单。
通过软元件扩展，更方便创建程序。
位软元件的M软元件和B软元件多可扩展到60K点，使程序更容易理解。
自动备份关键数据。
将将程序和参数文件自动保存到无需使用备份电池的程序存储器（Flash ROM）中中，
以防因忘记更换电池而导致程序和参数丢失Q06CCPU-V认证Q06CCPU-V认证。
此外，还可将软元件数据等重要数据备份到标准ROM，
以避免在长假期间等计划性停机时，
这些数据因电池电量耗尽而丢失。
下次打开电源时，备份的数据将自动恢复。