三菱Q03UDECPU编程手册Q03UDECPU手册

SRAM+E2PROM存储卡。
RAM容量：256KB。
E2PROM容量：256KB。输入点数：32点。
输入电压及电流：DC24V 4mA。
应答时间：1/5/10/20/70msQ03UDECPU编程手册。
共阳极。
输出点数：32点。
输出电压及电流：DC12~24V 0.1A/点；2A/公共端。
OFF时漏电流：0.1mA；应答时间：1ms。
漏型。
40针连接器。
带热防护。
带短路保护。
带浪涌吸收器。
借助采样跟踪功能缩短启动时间
利用采样跟踪功能，方便分析发生故障时的数据，
检验程序调试的时间等，可缩短设备故障分析时间和启动时间。
此外，在多CPU系统中也有助于确定CPU模块之间的数据收发时间。
可用编程工具对收集的数据进行分析，
并以图表和趋势图的形式方便地显示位软元件和字软元件的数据变化Q03UDECPU编程手册。
并且,可将采样跟踪结果以GX LogViewer形式的CSV进行保存，
通过记录数据显示、分析工具GX LogViewer进行显示。
高速处理，生产时间缩短，更好的性能。
随着应用程序变得更大更复杂，缩短系统运行周期时间是非常必要的。
通过高的基本运算处理速度1.9ns，可缩短运行周期。
除了可以实现以往与单片机控制相联系的高速控制以外，
还可通过减少总扫描时间，提高系统性能，
防止任何可能出现的性能偏差。
方便处理大容量数据。
以往无法实现标准RAM和SRAM卡文件寄存器区域的连续存取，
在编程时连续的文件寄存器，
容量多可达4736K字，从而简化了编程Q03UDECPU编程手册。
因此，即使软元件存储器空间不足，
也可通过安装扩展SRAM卡，方便地扩展文件寄存器区域。
变址寄存器扩展到了32位，从而使编程也可越了传统的32K字，
并实现变址修饰扩展到文件寄存器的所有区域。
另外，变址修饰的处理速度对结构化数据（阵列）的运算起着重要作用，
该速度现已得到提高。
当变址修饰用于反复处理程序（例如从FOR到NEXT的指令等）中时，可缩短扫描时间。4轴，SSCNETⅢ连接型。
2轴/3轴/4轴直线插补。
2轴弧线插补。
控制单位：mm、英寸、度、脉冲。
定位数据数：600个数据/轴。
40针连接器。
通过SSCNETⅢ电缆连接节省了配线，站间距离长可达50m。
支持通过原点返回数据设置操作来确定原点位置的对位置系统。
此外，上限限位开关、下限限位开关和近点挡块信号输入可直接连接至伺服放大大器，
从而大幅减少了配线需求Q03UDECPU手册。
轻松实现高速、的定位控制。
支持多种类型的定定位控制，
包括2 〜 4轴直线插补、2轴圆弧插补、速度控制、速度/位置切换控制、路径控制、等速控制等Q03UDECPU手册。
此外，可使用“ GX Configurator-QP”等软件，
方便地进行定位设置、监视和调试等。