三菱铂电阻型温度调节模块(升级版)Q64TCRTN

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三菱铂电阻型温度调节模块(升级版) Q64TCRTN概述

输入：4通道。
铂电阻(Pt100；JPt100)。
无加热器断线检测功能。
采样周期：0.5s/4通道。
18点端子台。
可灵活进行各种设置，实现佳温度控制的温度调节模块。
针对挤压成型机等温度控制稳定性要求高的设备，
温度调节模块具有防过热和防过冷的功能。
可根据控制对象设备，选择标准控制（加热或冷却）或加热冷却控制（加热和冷却）模式。
此外，也可选择混合控制模式（结合了标准控制和加热-冷却控制）。
尖峰电流功能。
可防止同时打开输出以控制尖峰电流，有助于节能及降低运行成本。
同时升温功能。
使多个回路同时达到设置值，以进行均匀的温度控制，
有助于防止空载并有效节能及降低运行成本。
自动调整功能。
可在控制过程中自动调节PID常数。
可降低自动调整成本（时间、材料和电能）。

Q612B QS0J61BT12 Q62DA-FG QD62 Q3MEM-CV QJ71BR11 Q00UJCPU-S8-SET

Q64TCRTN详细介绍
输入电压范围：AC100-240V。
输出电压：DC5V。
输出电源：8.5A。
简化程序调试。
可使用带执行条件的软元件测试功能，在程序上的任意步，
将软元件值更改为用户值Q64TCRTN。
以往在调试特定回路程序段时，需要追加设定软元件的程序，
而目前通过使用本功能，无需更改程序，即可使特定的回路程序段单独执行动作。
因此，不需要单独为了调试而更改程序，调试操作更简单。
通过软元件扩展，更方便创建程序。
位软元件的M软元件和B软元件多可扩展到60K点，使程序更容易理解。
自动备份关键数据。
将程序和参数文件自动保存到无需使用备份电池的程序存储器（Flash ROM）中，
以防因忘记更换电池而导致程序和参数丢失Q64TCRTN。
此外，还可将软元件数据等重要数据备份到标准ROM，
以避免在长假期间等计划性停机时，
这些数据因电池电量耗尽而丢失。
下次打开电源时，备份的数据将自动恢复。更换用电池。
初始电压3.0V。
使用寿命：5年Q64TCRTN。更换用电池。
初始电压3.0V。
更换用大容量电池模块，带电缆。
电流容量：18000mAh。
使用寿命：5年。
外形尺寸：98*55.2*87mm输出点数：16点。
输出电压及电流：DC5~12V；16mA/点；256mA/公共端。
应答时间：0.5ms。
16点1个公共端。
漏型铂电阻型温度调节模块(升级版)。
18点端于台。
带保险丝。
高速处理，生产时间缩短，更好的性能。
随着应用程序变得更大更复杂，缩短系统运行周期时间是非常必要的。
通过高的基本运算处理速度1.9ns，可缩短运行周期。
除了可以实现以往与单片机控制相联系的高速控制以外，
还可通过减少总扫描时间，提高系统性能，
防止任何可能出现的性能偏差铂电阻型温度调节模块(升级版)。
方便处理大容量数据。
以往无法实现标准RAM和SRAM卡文件寄存器区域的连续存取，
在编程时需要考虑各区域的边界。
在高速通用型QCPU中安装了8MB SRAM扩展卡，
可将标准RAM作为一个连续的文件寄存器，
容量多可达4736K字，从而简化了编程铂电阻型温度调节模块(升级版)。
因此，即使软元件存储器空间不足，
也可通过安装扩展SRAM卡，方便地扩展文件寄存器区域。
变址寄存器扩展到了32位，从而使编程也可越了传统的32K字，
并实现变址修饰扩展到文件寄存器的所有区域。
另外，变址修饰的处理速度对结构化数据（阵列）的运算起着重要作用，
该速度现已得到提高。
当变址修饰用于反复处理程序（例如从FOR到NEXT的指令等）中时，可缩短扫描时间。
借助采样跟踪功能缩短启动时间
利用采样跟踪功能，方便分析发生故障时的数据，
检验程序调试的时间等，可缩短设备故障分析时间和启动时间。
此外，在多CPPU系统中也有助于确定CPU模块之间的数据收发时间三菱。
可用编程工具对收集的数据进行分分析，
并以图表和趋势图的形式方便地显示位软元件和字软元件的数据变化Q64TCRTN。
并且,可将采样跟踪结果以GX LogViewer形式的CSV进行保存，
通过记录数据显示、分析工具GX LogViewer进行显示。

Q64TCRTN样本·手册·说明书

样本名称（中文）

下载

Q64TCRTN选型手册

下载 [22.32MB]

手册/说明书名称（中文）

下载

Q64TCRTN Q系列PLC快速入门指南

下载 [16.29MB]

Q64TCRTN用户手册

下载 [8.70MB]

Manual Name (English)